RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
39
Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.9
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
39
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
10.9
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
2782
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link