RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2987
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link