RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
31
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
22
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2633
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link