RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
71
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2824
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link