RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
71
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2824
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link