RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
71
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2824
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link