RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
比較する
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
15.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
71
周辺 -115% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
33
読み出し速度、GB/s
2,831.6
15.8
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
11.9
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
2824
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link