RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
45
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2664
2190
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link