RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
45
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2664
2190
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link