RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
33
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2581
2947
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link