RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
37
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3088
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link