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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.1
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
17.6
15.4
写入速度,GB/s
12.0
12.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3088
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
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Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
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