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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Kingston 9932291-002.A00G 4GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
15.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
15.3
15.5
写入速度,GB/s
9.8
8.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2252
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
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