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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
33
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
33
读取速度,GB/s
16.0
16.6
写入速度,GB/s
11.1
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2947
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Corsair CM3X2G1600C9DHX 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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