RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
68
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
68
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2581
2007
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link