RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Porównaj
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
28
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2581
1989
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link