RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
66
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3711
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link