RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
66
Около -144% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3711
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link