RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
34
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
2286
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link