RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
9.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
8.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
34
Por volta de -3% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.8
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.3
8.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2968
2286
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link