RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2591
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5402-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link