RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2803
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link