RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
28
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.2
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3130
3552
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link