RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
27
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
2288
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Jinyu 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT12GX3M3A2000C9 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link