RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
2910
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link