RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
55
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
55
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
2078
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link