RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Сравнить
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
55
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
24
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
55
Скорость чтения, Гб/сек
24.0
9.3
Скорость записи, Гб/сек
20.0
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
4156
2078
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link