RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
15.7
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3867
2987
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link