RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2236
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link