RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3538
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link