RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3492
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-YH0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link