RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3706
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link