RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2136
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link