RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2136
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88G7N-CG 2GB
Nanya Technology M2F2G64CB88G7N-CG 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link