Kingston 9965525-018.A00LF 4GB против Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Средняя оценка

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 37

Около 27% меньшая задержка

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Причины выбрать
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.8 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 37
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 15.8
Скорость записи, Гб/сек

8.6 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2196 3075

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB

Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB

Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

NSITEXE Inc Visenta 16GB

NSITEXE Inc Visenta 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB

DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB

модули RAM

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB

модули RAM

Corsair VS2GB1333D4 2GB

Corsair VS2GB1333D4 2GB

Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB

Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB

Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB

модули RAM