RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3596
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link