RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
59
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
59
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1968
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link