RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
76
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
76
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1624
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link