RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
28
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
19
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1453
3435
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link