RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
28
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
19
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1453
3435
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A3000C12 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link