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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

总分
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

差异 规格 评论

差异

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB 需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    19 left arrow 28
    左右 -47% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.5 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.8 left arrow 5.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 19
  • 读取速度，GB/s
    9.4 left arrow 19.5
  • 写入速度，GB/s
    5.5 left arrow 15.8
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1453 left arrow 3435

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A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Kingston KTD3KX-HYA 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
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Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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