RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Confronto
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
28
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
19
Velocità di lettura, GB/s
9.4
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1453
3435
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link