RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3844
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ?????? 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link