RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
49
Autour de -63% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
3844
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link