RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
49
En -63% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3844
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link