RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
49
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3242
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link