RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
49
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3242
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link