RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
49
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3242
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link