RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
49
Около -40% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3242
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link