RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
49
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3206
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link