RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
49
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2346
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link