RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
49
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
43
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2501
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link