RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2781
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link