RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
49
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2271
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link