RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1989
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link